| 摘要 |
본 발명은, 변질층을 광 디바이스층에 이르지 않는 범위에 용이하게 형성할 수 있고, 디바이스의 두께를 소정의 두께로 형성할 수 있는 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 기판의 표면에 광 디바이스층이 적층되고 격자형으로 형성된 복수의 스트리트에 의해 구획된 복수의 영역에 광 디바이스가 형성된 광 디바이스 웨이퍼를 스트리트를 따라 개개의 광 디바이스로 분할하는 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법으로서, 광 디바이스 웨이퍼의 표면에 보호 부재를 점착하는 보호 부재 점착 공정과, 광 디바이스 웨이퍼의 기판에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 기판의 이면측으로부터 기판의 내부에 집광점을 위치시키고 스트리트를 따라 조사하여, 기판의 내부에 광 디바이스층보다 이면측에 스트리트를 따라 변질층을 형성하는 변질층 형성 공정과, 광 디바이스 웨이퍼의 기판 이면을 연삭하여 소정의 두께로 형성하는 이면 연삭 공정과, 광 디바이스 웨이퍼에 외력을 부여하고 광 디바이스 웨이퍼를 변질층이 형성된 스트리트를 따라 파단하여, 개개의 광 디바이스로 분할하는 웨이퍼 파단 공정을 포함한다. |
