| 摘要 |
Gegenstand der Erfindung ein Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium, bei dem polykristallines Silicium auf durch direkten Stromdurchgang erhitzten Trägerkörpern abgeschieden wird, wodurch polykristalline Siliciumstäbe erzeugt werden, wobei die Trägerkörper auf einer Bodenplatte eines Reaktors gehalten und über Elektroden mit Strom versorgt werden, wobei die Abscheidung von polykristallinem Silicium beendet wird, wenn die polykristallinen Siliciumstäbe einen gewünschten Enddurchmesser erreicht haben, wobei die polykristallinen Siliciumstäbe nachfolgend aus dem Reaktor entfernt werden und der Reaktor mit neuen Trägerkörpern bestückt wird, um weitere polykristalline Silciumstäbe zu erzeugen, wobei nach einem Ausbau der polykristallinen Siliciumstäbe aus dem Reaktor und vor einer Bestückung des Reaktors mit neuen Trägerkörpern die Bodenplatte des Reaktors gereinigt wird, dadurch gekennzeichnet, dass eine Reinigung der Bodenplatte erfolgt, die wenigstens zwei Reinigungschritte umfasst, wobei bei den wenigstens zwei Reinigungsschritten wenigstens zwei Reinigungsmedien mit unterschiedlichem Aggregatzustand zum Einsatz kommen. |
