发明名称 |
メモリデバイスにおける書込み支援のための書込みドライバ |
摘要 |
供給電圧が低下させられたときでも、正しい書込み動作のためにメモリコアにおける電圧を十分に高く保つために、書込み動作におけるメモリセル(たとえば、揮発性メモリビットセル)を支援する書込み支援ドライバ回路が提供される。書込み支援ドライバ回路は、待機動作モード中にビットセルコアにメモリ供給電圧VddMを与えるように構成され得る。書込み動作モードでは、書込み支援ドライバ回路は、ビットセルコアに、ならびにローカル書込みビット線(lwbl)およびローカル書込みビット線バー(lwblb)のうちの少なくとも1つに、低下させられたメモリ供給電圧VddMlowerを与え得る。さらに、書込み支援ドライバ回路はまた、ローカル書込みワード線(lwwl)に周辺供給電圧VddPを与え得、ここで、VddP≧VddM>VddMlowerである。 |
申请公布号 |
JP2016505192(A) |
申请公布日期 |
2016.02.18 |
申请号 |
JP20150556137 |
申请日期 |
2014.01.30 |
申请人 |
クゥアルコム・インコーポレイテッドQUALCOMM INCORPORATED |
发明人 |
ジュン、チャンホ;デサイ、ニシス;バッティコンダ、ラケシュ |
分类号 |
G11C11/417;G11C11/413 |
主分类号 |
G11C11/417 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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