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Verfahren zum Bilden einer Nanodrahteinheit (7, 14, 25, 38, 40), wobei das Verfahren Folgendes aufweist: Bilden eines Nanodrahts (20, 30) derart, dass jedes Ende des Nanodrahts an einem Träger (22, 31, 32) befestigt ist; nach dem Bilden des Nanodrahts Bilden einer Stressorschicht (6, 13, 23, 33), welche den Nanodraht außen umgibt; und Freilegen des Nanodrahts (20, 30) von dem Träger zumindest an einem Ende des Nanodrahts, wobei durch die Stressorschicht (23, 33) zumindest eine longitudinale Spannung auf den Nanodraht ausgeübt wird, um die Beweglichkeit der Ladungsträger in dem Nanodraht zu erhöhen. |
