发明名称 METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR SUBSTARTE AND METHOD OF FABRICATING LIGHE EMITTING DEVICE
摘要 반도체 기판 제조 방법 및 발광 소자 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시 형태에 의하면, 반도체 기판의 제조 방법은 기판 상에 제1 반도체층을 형성하는 단계, 상기 제1 반도체층 상에 제2 반도체층을 형성하되, 상기 제2 반도체층을 형성하는 동안, 상기 제1 반도체층에서는 복수의 공동이 형성되는 단계 및 상기 제2 반도체층 상에 활성층을 포함하는 복수의 화합물 반도체층을 형성하는 단계를 포함한다.
申请公布号 KR101593213(B1) 申请公布日期 2016.02.18
申请号 KR20120049678 申请日期 2012.05.10
申请人 서울바이오시스 주식회사 发明人 문수영;사카이 시로;김창연;김화목;김경완
分类号 H01L33/12;H01L33/22 主分类号 H01L33/12
代理机构 代理人
主权项
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