| 发明名称 | 半导体器件和制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件和制造方法。具体而言，本发明公开了用于制造半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上依次形成第一半导体层、第二半导体层以及包含p型杂质元素的半导体盖层；在形成半导体盖层之后，形成具有开口的介电层；在从介电层的开口露出的半导体盖层上形成包含p型杂质元素的第三半导体层；以及在第三半导体层上形成栅电极。 | ||
| 申请公布号 | CN103077890B | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201210324746.9 | 申请日期 | 2012.09.04 |
| 申请人 | 创世舫电子日本株式会社 | 发明人 | 苫米地秀一 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H03F3/193(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人 | 孟锐 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层；在形成所述第二半导体层之后，形成具有开口的介电层；在从所述介电层的所述开口露出的所述第二半导体层上形成包含p型杂质元素的第三半导体层；在所述第三半导体层上形成栅电极；以及从所述第三半导体层的层厚度方向消除氢。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||