发明名称 反射式速调管及电子发射装置
摘要 一种反射式速调管包括电子发射装置,电子发射装置包括:一电子发射结构和一电子反射结构相对设置,其中,该电子反射结构包括:反射极、第二栅网;该电子发射结构包括:阴极、电子引出极、电子发射体、第一栅网,其中,该电子发射体与所述阴极电连接,该电子引出极具有一通孔对应所述电子发射体,所述电子发射体包括多个子电子发射体,每个子电子发射体具有一电子发射端,每一电子发射端至电子引出极的所述通孔的侧壁的最短距离基本一致,每一电子发射端与反射极之间的距离大于等于10微米小于等于200微米,所述反射式速调管内的压强小于等于100帕。本发明还提供一种电子发射装置。
申请公布号 CN105336560A 申请公布日期 2016.02.17
申请号 CN201410288346.6 申请日期 2014.06.25
申请人 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 发明人 柳鹏;陈丕瑾;周段亮;张春海;范守善
分类号 H01J37/317(2006.01)I 主分类号 H01J37/317(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种反射式速调管,其包括:一第一基板和一第二基板,该第一基板和第二基板配合设置形成一谐振腔体;一透镜,该透镜设置于该谐振腔体的一端形成一输出端;以及一电子发射装置,该电子发射装置向所述谐振腔体内部发射电子,该电子在谐振腔体内振荡,最终由输出端输出,所述电子发射装置包括:一电子发射结构和一电子反射结构分别设置在第一基板和第二基板,且相对设置,其中,该电子反射结构包括:反射极、第二栅网;该电子发射结构包括:阴极、电子引出极、电子发射体和第一栅网,其中,该电子发射体与所述阴极电连接,该电子引出极具有一通孔对应所述电子发射体,所述电子发射体包括多个子电子发射体,每个子电子发射体具有一电子发射端,每一电子发射端至电子引出极的所述通孔的侧壁的最短距离基本一致,每一电子发射端与反射极之间的距离大于等于10微米小于等于200微米,所述反射式速调管内的压强小于等于100帕。
地址 100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室