一种半导体元件及其制备方法

摘要

本发明提出了一种半导体元件，通过利用衬底上生长的金属保护层、金属氧化物保护层避免硅衬底表面非晶态层的形成；利用过渡层减小所述金属氧化物保护层与所述III-IV族缓冲层的晶格差异，提高所述III-IV族缓冲层的晶体质量。本发明同时提出一种制备方法，该方法可以避免在硅衬底界面附近非晶态层的形成，避免裂纹的产生。同时充分利用PVD法沉积的高质量多层缓冲结构，及在其上生长氮化镓或铟镓氮或铝镓氮外延层，制作成发光二极管元件或晶体管元件。

主权项

一种半导体元件，包括：硅衬底、多层缓冲结构和外延功能层，其特征在于：所述多层缓冲结构包括依次排列生成的金属保护层、金属氧化物保护层、过渡层和III‑IV族缓冲层，其中所述金属保护层、金属氧化物保护层用于避免所述硅衬底表面非晶态层的形成，所述过渡层用于减小所述金属氧化物保护层与所述III‑IV族缓冲层之间的晶格差异。