一种复合结构SiC衬底器件的切割方法

摘要

本发明是一种复合结构SiC芯片的切割方法，采用砂轮切割在划片槽区域把复合结构SiC芯片进行切割分离。通过先形成复合结构SiC芯片完成圆片；再测量其厚度；把SiC芯片完成圆片贴在切割片架上的蓝膜或UV膜上；测量其总厚度；应用第一切割条件切割开多层介质到SiC外延层，再针对SiC衬底应用第二切割条件切割到SiC衬底中，应用第三切割条件切割到SiC衬底与背面金属界面处，最后应用第四切割条件切割到背面多层金属厚度的1/2处，最终裂片分离SiC芯片。优点：可以很安全地实现复合结构SiC芯片的切割分离，有效减小复合结构中多层介质、SiC衬底及外延层、背面金属的崩边及损伤，提高SiC芯片的良品率和切割效率。

主权项

复合结构SiC芯片的切割方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1）在一层或多层SiC外延片（103）上制备SiC芯片，从而形成复合结构SiC芯片完成圆片；2）测量SiC芯片完成圆片切割道区域的厚度；3）把SiC芯片完成圆片贴在切割片架上的蓝膜或UV膜上；4）测量SiC芯片完成圆片切割道区域加蓝膜或UV膜的总厚度；5）应用第一切割条件处理第一层钝化介质（101）和第二层钝化介质（102）在所述一层或多层SiC外延片（103）上，切割第一预定厚度的沟槽；6）应用第二切割条件处理一层或多层SiC外延片（103），切割第二预定厚度的沟槽；7）应用第三切割条件处理一层或多层SiC外延片（103），切割第三预定厚度的沟槽；8）应用第四切割条件处理多层金属（104、105、106、107），切割第四预定厚度的沟槽；9）经过所述第一、第二、第三、第四切割处理后，采用裂片方法，所述SiC芯片被分离；所述的步骤5）、步骤6）、步骤7）、步骤8）的切割条件所要求的设备的主轴功率2000～5000W；切割水流角度在135°‑165°；切割水流量1L/min‑2L/min。