| 发明名称 | 提高钙钛矿型氧化物薄膜光电性能的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种提高钙钛矿型氧化物薄膜光电性能的方法，其关键在于首先在钙钛矿型氧化物薄膜中引入氧空位；再对所述钙钛矿型氧化物薄膜施加电场，使氧空位在所述钙钛矿型氧化物薄膜内沿电场方向迁移，在钙钛矿型氧化物薄膜内形成氧空位梯度，采用本发明的有益效果是通过调控施加的电场、磁场、升温温度等就可以调控氧空位的梯度，改善钙钛矿型氧化物薄膜的光电性能，该方法简单效果好。 | ||
| 申请公布号 | CN105336799A | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201510685840.0 | 申请日期 | 2015.10.21 |
| 申请人 | 重庆科技学院 | 发明人 | 高荣礼;符春林;蔡苇;陈刚;邓小玲;邹吉华 |
| 分类号 | H01L31/0296(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0296(2006.01)I |
| 代理机构 | 重庆为信知识产权代理事务所(普通合伙) 50216 | 代理人 | 陈千 |
| 主权项 | 一种提高钙钛矿型氧化物薄膜光电性能的方法，其特征在于：首先在钙钛矿型氧化物薄膜中引入氧空位；再对所述钙钛矿型氧化物薄膜施加电场，使氧空位在所述钙钛矿型氧化物薄膜内沿电场方向迁移，在钙钛矿型氧化物薄膜内形成氧空位梯度。 | ||
| 地址 | 400023 重庆市沙坪坝区大学城东路20号 | ||