一种垂直结构的隧穿场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供一种垂直结构的隧穿场效应晶体管及其制备方法，所述制备方法至少包括步骤：提供一SGOI衬底，包括埋氧层和P型重掺杂SiGe；在所述P型重掺杂SiGe依次沉积形成硅层和N型重掺杂SiGe；利用光刻和刻蚀技术刻蚀所述N型重掺杂SiGe，在所述硅层一侧表面形成漏极；刻蚀所述硅层形成具有纳米线或纳米棒结构的沟道；利用化学腐蚀工艺去除所述沟道下部分P型重掺杂SiGe，使所述沟道悬空，与所述漏极处于相对的另一侧的P型重掺杂SiGe定义为源极，所述漏极、沟道和源极构成垂直结构。本发明提供的垂直结构的隧穿场效应晶体管中漏极、沟道和源极为垂直结构，可以增大隧穿面积，提高器件的驱动电流。另外，形成的悬空的沟道可以进一步抑制器件的漏电流。

主权项

一种垂直结构的隧穿场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述垂直结构的隧穿场效应晶体管的制备方法至少包括步骤：1)提供一SGOI衬底，所述SGOI衬底包括埋氧层和形成于所述埋氧层上的P型重掺杂SiGe；2)在所述P型重掺杂SiGe依次沉积形成硅层和N型重掺杂SiGe；3)利用光刻和刻蚀技术刻蚀所述N型重掺杂SiGe，在所述硅层一侧表面形成漏极；4)刻蚀所述硅层形成具有纳米线或纳米棒结构的沟道；5)利用化学腐蚀工艺去除所述沟道下的部分P型重掺杂SiGe，使所述沟道悬空；与所述漏极处于相对的另一侧的P型重掺杂SiGe定义为源极，所述漏极、沟道和源极构成垂直结构；6)在所述沟道表面形成包裹所述沟道的栅介质层，在所述栅介质层上形成栅极。