| 发明名称 | 一种MEMS工艺中的刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种MEMS工艺中的刻蚀方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成掩膜层；采用等离子体刻蚀的方法，刻蚀衬底以形成沟槽；采用等离子气体进行钝化，在沟槽的表面上形成聚合物的钝化层；采用等离子体刻蚀的方法，去除沟槽底面上的钝化层；继续刻蚀衬底；去除钝化层以及掩膜层。在本发明中，在等离子体刻蚀的设备中完成首次刻蚀以及原位的钝化层的保护，工艺简单，集成度高且效率高。 | ||
| 申请公布号 | CN105329846A | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201410395365.9 | 申请日期 | 2014.08.12 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 洪培真;杨涛;孟令款;李春龙;李俊峰;赵超 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 王立民;逢京喜 |
| 主权项 | 一种MEMS工艺中的刻蚀方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成掩膜层；采用等离子体刻蚀的方法，刻蚀衬底以形成沟槽；采用等离子气体进行钝化，在沟槽的表面上形成聚合物的钝化层；采用等离子体刻蚀的方法，去除沟槽底面上的钝化层；继续刻蚀衬底；去除钝化层以及掩膜层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||