发明名称 |
薄膜晶体管基板以及显示面板 |
摘要 |
本公开涉及薄膜晶体管基板以及显示面板。本发明实施例提供一种薄膜晶体管基板,其包括基板、栅极电极、半导体层、源极电极、漏极电极、第一保护层以及第二保护层。栅极电极配置于基板上。半导体层与栅极电极电性绝缘,源极电极与漏极电极皆与半导体层电性连接。第一保护层配置于半导体层上且具有第一氧空位浓度,第二保护层配置于第一保护层上且具有第二氧空位浓度。交界区位于第一保护层与第二保护层之间,且具有第三氧空位浓度。其中第三氧空位浓度大于第一氧空位浓度且大于第二氧空位浓度。 |
申请公布号 |
CN105336743A |
申请公布日期 |
2016.02.17 |
申请号 |
CN201510479436.8 |
申请日期 |
2015.08.03 |
申请人 |
群创光电股份有限公司 |
发明人 |
李冠锋;蒋国璋;颜子旻 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;G09G3/32(2016.01)I;G09G3/36(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
梁丽超;陈鹏 |
主权项 |
一种薄膜晶体管基板,其特征在于,所述薄膜晶体管基板包括:一基板;一栅极电极,配置于所述基板上;一半导体层,与所述栅极电极电性绝缘;一源/漏极电极,与所述半导体层电性连接;一第一保护层,配置于所述半导体层上,具有一第一氧空位浓度;一第二保护层,配置于所述第一保护层上,具有一第二氧空位浓度;以及一交界区,位于所述第一保护层与所述第二保护层之间,具有一第三氧空位浓度,其中,所述第三氧空位浓度大于所述第一氧空位浓度且大于所述第二氧空位浓度。 |
地址 |
中国台湾 |