包括带电结构的半导体器件及用于制造半导体器件的方法

摘要

本发明涉及包括带电结构的半导体器件及用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件，包括从表面延伸进入半导体主体的漂移区的沟槽区。所述半导体器件进一步包括沿着所述沟槽区的横向侧延伸的介电结构，其中所述介电结构的一部分是带电绝缘结构。所述半导体器件进一步包括在所述沟槽区中的栅电极以及具有不同于所述漂移区的导电类型的主体区。所述带电绝缘结构邻接所述漂移区、所述主体区和所述介电结构的每一者且进一步邻接所述介电结构的栅电介质底侧或置于其下方。

主权项

一种半导体器件，包括：从表面延伸进入半导体主体的漂移区的沟槽区；沿着所述沟槽区的横向侧延伸的介电结构，其中所述介电结构的一部分是带电的绝缘结构；在所述沟槽区中的栅电极；具有不同于所述漂移区的导电类型的导电类型的主体区；其中所述带电绝缘结构邻接所述漂移区、所述主体区和所述介电结构的每一个且进一步邻接所述介电结构的栅电介质底侧或设置于其下方，以及其中所述带电绝缘结构沿垂直于所述表面的垂直方向设置在栅绝缘体和场绝缘体之间，以及其中所述栅绝缘体沿平行于所述表面的横向方向的厚度小于所述场绝缘体沿所述横向方向的厚度。