带有自整流效应的RRAM存储单元结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种带有自整流效应的RRAM存储单元结构及其制备方法，该RRAM存储单元结构包括衬底、下电极、阻变层、整流层以及上电极，所述下电极位于所述衬底之上，所述阻变层设置在所述下电极上，所述整流层设置在所述阻变层上，所述上电极，设置在所述整流层上，通过本发明，实现了直接利用具有较低功函数的过渡族金属铪(Hf)作为下电极的自整流RRAM存储单元新结构，同时本发明仅利用磁控溅射和氧等离子体氧化法便能方便、快速地制备出具有一定整流比的氧化物RRAM存储单元。

主权项

一种带有自整流效应的RRAM存储单元结构，其特征在于：该RRAM存储单元结构包括衬底、下电极、阻变层、整流层以及上电极，所述下电极位于所述衬底之上，所述阻变层设置在所述下电极上，所述整流层设置在所述阻变层上，所述上电极，设置在所述整流层上。