一种反应腔室及半导体加工设备

摘要

本发明提供了一种反应腔室及半导体加工设备，该反应腔室包括卡盘和等离子产生装置，卡盘设置在反应腔室内，用于承载基片；等离子体产生装置用于产生等离子体并向反应腔室内输送该等离子体，该反应腔室还包括支撑件，支撑件用于支撑等离子体产生装置，以实现等离子体产生装置贯穿反应腔室的顶壁且与卡盘以预定距离相对设置。本发明提供的反应腔室，可避免等离子体在传输过程中造成密度损失和能量衰减，从而可以提高刻蚀速率，进而可以降低激励电源的耗费。

主权项

一种反应腔室，包括卡盘和等离子产生装置，所述卡盘设置在所述反应腔室内，用于承载基片；所述等离子体产生装置用于产生等离子体并向所述反应腔室内输送等离子体，其特征在于，所述反应腔室还包括支撑件，所述支撑件用于支撑所述等离子体产生装置，以实现所述等离子体产生装置贯穿所述反应腔室的顶壁且与所述卡盘以预定距离相对设置。