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발명은 광전자 반도체 칩을 생산하기 위한 방법에 관한 것이다. 그러한 방법은, 스타트 기판(120) 상에 반도체 층 시퀀스(130)를 형성하는 단계 및 반도체 층 시퀀스(130)를 구조화하는 단계를 포함하고, 반도체 구조물(230, 232)이 외주방향 측방향 표면(239)을 가지는 상승부의 형태로 형성되며, 반도체 구조물(230, 232)을 둘러싸는 영역 내의 반도체 층 시퀀스(130)의 재료가, 적어도, 반도체 층 시퀀스(130)의 활성 구역(133)이 외주방향 측방향 표면(239)에서 노출되도록 하는 깊이까지 제거된다. 방법이, 반도체 구조물(230, 232)의 외주방향 측방향 표면(239) 상에 배열된 패시베이션 층(150)을 형성하는 단계, 패시베이션 층(150)을 형성하는 단계 이후에 반도체 구조물(230, 232)의 영역 내에서 적어도 하나의 비아(260)를 가지는 연결 구조물을 형성하는 단계, 연결 구조물을 지지 기판(125)으로 연결하는 단계, 및 스타트 기판(120)을 제거하는 단계를 추가적으로 포함한다. 발명은 또한 광전자 반도체 칩에 관한 것이다. |
