| 发明名称 | 制造有机场效应晶体管的方法和有机场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本公开内容涉及制造有机场效应晶体管的方法，所述方法包括如下步骤：在基底上设置栅电极(1)和分配给栅电极(1)的用于电绝缘的栅绝缘体(2)，在所述栅绝缘体(2)上沉积第一有机半导体层(3)，生成第一电极(4)和分配给第一电极(4)的用于电绝缘的电极绝缘体(5)，在第一有机半导体层(3)和电极绝缘体(5)上沉积第二有机半导体层(6)，以及生成第二电极(7)，其中所述方法还包括以下步骤中的至少一个：在生成第一电极(4)和电极绝缘体(5)之前在第一有机半导体层(3)上生成第一掺杂材料层(13)使得电极绝缘体(5)与第一电极(4)至少部分地生成在第一掺杂材料层(13)上，并且在生成第二电极(7)之前在第二有机半导体层(6)上生成第二掺杂材料层(14)使得第二电极(7)至少部分地生成在第二掺杂材料层(14)上。此外，提供了一种有机场效应晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN105340097A | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201480023257.7 | 申请日期 | 2014.04.15 |
| 申请人 | 诺瓦尔德股份有限公司 | 发明人 | 汉斯·克勒曼;比约恩·吕塞姆;卡尔·利奥;阿伦·京特 |
| 分类号 | H01L51/05(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/05(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王潜;郭国清 |
| 主权项 | 一种制造有机场效应晶体管的方法，所述方法包括如下步骤：‑在基底上设置栅电极(1)和分配给所述栅电极(1)的用于电绝缘的栅绝缘体(2)，‑将第一有机半导体层(3)沉积在所述栅绝缘体(2)上，‑生成第一电极(4)和分配给所述第一电极(4)的用于电绝缘的电极绝缘体(5)，‑将第二有机半导体层(6)沉积在所述第一有机半导体层(3)和所述电极绝缘体(5)上，以及‑生成第二电极(7)，其中所述方法还包括以下步骤中的至少一个：‑在生成所述第一电极(4)和所述电极绝缘体(5)之前在所述第一有机半导体层(3)上生成第一掺杂材料层(13)，使得所述电极绝缘体(5)与所述第一电极(4)至少部分地生成在所述第一掺杂材料层(13)上，以及‑在生成所述第二电极(7)之前在所述第二有机半导体层(6)上生成第二掺杂材料层(14)，使得所述第二电极(7)至少部分地生成在所述第二掺杂材料层(14)上。 | ||
| 地址 | 德国德累斯顿 | ||