一种LED外延生长方法

摘要

本申请公开了一种LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长掺杂In的In_xGa_(1-x)N/GaN层、生长P型Al_yGa_(1-y)N-In_xGa_(1-x)N超晶格层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其特征在于，所述生长掺杂Mg的P型GaN层进一步为：保持温度910℃-930℃，反应腔压力550mbar-600mbar，在N₂气氛下持续生长5nm-10nm掺Mg的P型GaN层，Mg掺杂浓度1E+19atom/cm³-2E+19atom/cm³；升高温度到950℃-970℃，反应腔压力提高至850mbar-900mbar，在H₂气氛下持续生长100nm-120nm的掺Mg的P型GaN层，Mg掺杂浓度为3E+20atom/cm³-4E+20atom/cm³。如此方案，采用低温P型GaN层减薄生长，高温P型GaN层高压生长，能够有效减少漏电通道，增强阻挡电子的能力，提高反向电压，减小漏电，还能够提升辐射复合效率，使得亮度得到提高。

主权项

一种LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长掺杂In的In_xGa_(1‑x)N/GaN层、生长P型Al_yGa_(1‑y)N‑In_xGa_(1‑x)N超晶格层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其特征在于，所述生长掺杂Mg的P型GaN层进一步为：保持温度910℃‑930℃，反应腔压力550mbar‑600mbar，在N₂气氛下持续生长5nm‑10nm掺Mg的P型GaN层，Mg掺杂浓度1E+19atom/cm³‑2E+19atom/cm³；升高温度到950℃‑970℃，反应腔压力提高至850mbar‑900mbar，在H₂气氛下持续生长100nm‑120nm的掺Mg的P型GaN层，Mg掺杂浓度为3E+20atom/cm³‑4E+20atom/cm³。