一种集成多孔状反射层的发光二极管制作方法

摘要

本发明公开一种集成多孔状反射层的发光二极管制作方法，在衬底上依次生长外延层；在外延层上制作透明导电层；在透明导电层上定义出切割道；腐蚀切割道至透明导电层和外延层被完全腐蚀，暴露出切割道处衬底；将暴露出切割道的外延片浸没在酸性电解液中，施加正向偏压，进行电化学腐蚀，将交替层叠的N型轻掺层与N型重掺层制作成多孔状反射层；若衬底为绝缘衬底，在透明导电层上制作P电极，在N型掺杂层上制作N电极；若衬底为导电衬底，在透明导电层上制作P电极，在导电衬底的背面制作N电极；将外延片切割成独立的发光二极管器件。本发明可以提高外量子效率，且可适用于垂直结构LED芯片，而不会对LED芯片的工作电压造成影响。

主权项

一种集成多孔状反射层的发光二极管制作方法，其特征在于：包括以下步骤：一，使用MOCVD在衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、交替层叠的N型轻掺层与N型重掺层、N型掺杂层、有源层、电子阻挡层、P型接触层；所述低温缓冲层、高温缓冲层、交替层叠的N型轻掺层与N型重掺层、N型掺杂层、有源层、电子阻挡层、P型接触层构成外延层；二，在外延层上通过电子束蒸发或者溅射镀膜的方式制作透明导电层；三，经过标准的光刻过程，在透明导电层上定义出切割道；四，使用ICP腐蚀切割道，直到切割道处的透明导电层和外延层被完全腐蚀，暴露出切割道处的衬底；五，将暴露出切割道的外延片完全浸没在酸性电解液中，并向外延片施加正向偏压，对外延片进行电化学腐蚀，将交替层叠的N型轻掺层与N型重掺层制作成多孔状反射层；六，若衬底为绝缘衬底，则经过标准的光刻过程，在透明导电层上定义出台面，然后使用ICP刻蚀出台面，再在透明导电层上制作P电极，在N型掺杂层上制作N电极；若衬底为导电衬底，则直接在透明导电层上制作P电极，在导电衬底的背面制作N电极；七，将外延片切割成独立的发光二极管器件。