一种节省光刻版数量的金属氧化物半导体场器件制造方法

摘要

本发明涉及一种节省光刻版数量的金属氧化物半导体场器件制造方法，包括下列步骤：在衬底上形成N阱、P阱、隔离结构及栅氧化层，并淀积多晶硅；采用第一光刻版光刻并刻蚀，形成NMOS的多晶硅栅极；去胶后进行轻掺杂漏极离子注入，在所述P阱内形成N型第一掺杂区；在所述NMOS的多晶硅栅极两侧形成侧墙；进行N型重掺杂离子注入，在所述P阱内形成N型第二掺杂区；采用第二光刻版光刻并刻蚀，形成PMOS的多晶硅栅极；在光刻胶的掩蔽下进行P型重掺杂离子注入，在所述N阱内形成P型掺杂区。本发明相对于传统技术省掉了NLDD注入及NSD注入的光刻版，从而大大降低了成本。

主权项

一种节省光刻版数量的金属氧化物半导体场器件制造方法，包括下列步骤：在衬底上形成N阱、P阱隔离结构及栅氧化层，并淀积多晶硅；采用第一光刻版光刻并刻蚀，形成NMOS的多晶硅栅极；其中采用第一光刻版曝光并显影后剩余的光刻胶将所述N阱上未被隔离结构覆盖的区域覆盖；去胶后进行轻掺杂漏极离子注入，在所述P阱内形成N型第一掺杂区；在所述NMOS的多晶硅栅极两侧形成侧墙；进行N型重掺杂离子注入，在所述P阱内形成N型第二掺杂区；采用第二光刻版光刻并刻蚀，形成PMOS的多晶硅栅极；其中采用第二光刻版曝光并显影后剩余的光刻胶将所述P阱上未被隔离结构覆盖的区域覆盖；在光刻胶的掩蔽下进行P型重掺杂离子注入，在所述N阱内形成P型掺杂区。