氧化物半导体膜以及半导体装置

摘要

一种氧化物半导体膜以及半导体装置。提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。

主权项

一种半导体装置，包括：第一金属氧化物膜；所述第一金属氧化物膜上的氧化物半导体膜；所述氧化物半导体膜上的第二金属氧化物膜，所述第二金属氧化物膜上的栅极绝缘膜；以及所述栅极绝缘膜上的栅电极，其中，所述氧化物半导体膜包括In‑Ga‑Zn‑O类金属氧化物，其中，所述第二金属氧化物膜包括Ga‑Zn‑O类金属氧化物，以及其中，在所述Ga‑Zn‑O类金属氧化物中，氧化锌的物质量相对于氧化镓低于50％。