发明名称 |
高品质因数温度稳定型微波介电陶瓷Li<sub>2</sub>MgGeO<sub>4</sub>及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种复合氧化物作为高品质因数温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷的应用。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、MgO和GeO<sub>2</sub>的原始粉末按Li<sub>2</sub>MgGeO<sub>4</sub>的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在850℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在900~950℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在950℃以下烧结良好,介电常数达到15.4~16.3,其品质因数Qf值高达99000-163000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。 |
申请公布号 |
CN105330261A |
申请公布日期 |
2016.02.17 |
申请号 |
CN201510845545.7 |
申请日期 |
2015.11.30 |
申请人 |
桂林理工大学 |
发明人 |
唐莹;程柳;苏和平 |
分类号 |
C04B35/01(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/01(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种复合氧化物作为温度稳定型高品质因数微波介电陶瓷的应用,其特征在于所述微波介电陶瓷的化学组成为:Li<sub>2</sub>MgGeO<sub>4</sub>;所述微波介电陶瓷的制备方法具体步骤为:(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、MgO和GeO<sub>2</sub>的原始粉末按Li<sub>2</sub>MgGeO<sub>4</sub>的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在850℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在900~950℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇添加量占粉末总质量的3%。 |
地址 |
541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号 |