| 发明名称 | 鳍式场效应管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 鳍式场效应管及其形成方法，其中一种鳍式场效应管，包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面具有绝缘层和鳍部，所述鳍部贯穿所述绝缘层、且所述鳍部高于绝缘层表面；所述鳍部顶部的晶面为(100)，所述鳍部侧壁的晶面为(110)，且对于p沟道鳍式场效应管，所述鳍部顶部与侧壁的面积之比小于等于3:1，对于n沟道鳍式场效应管，所述鳍部顶部与侧壁的面积之比大于3:1；横跨所述鳍部的顶部和侧壁的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的鳍部表面的应力衬垫层。本发明实施例的鳍式场效应管的载流子迁移率高，器件性能好。 | ||
| 申请公布号 | CN103378152B | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201210122575.1 | 申请日期 | 2012.04.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种鳍式场效应管，包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面具有绝缘层和鳍部，所述鳍部贯穿所述绝缘层、且所述鳍部高于绝缘层表面；其特征在于，所述鳍部顶部的晶面为(100)，所述鳍部侧壁的晶面为(110)，且对于p沟道鳍式场效应管，所述鳍部顶部与侧壁的面积之比小于等于3:1，大于等于1:1；对于n沟道鳍式场效应管，所述鳍部顶部与侧壁的面积之比大于3:1，小于等于10:1；横跨所述鳍部的顶部和侧壁的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的鳍部表面的应力衬垫层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||