| 发明名称 | 石墨烯的生产方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种通过气相外延在含SiC表面的衬底上生产石墨烯的方法，其特征在于通过惰性气体或除惰性气体以外的气体流经外延反应器来控制硅从衬底升华的过程。本发明还涉及通过该方法获得的石墨烯。 | ||
| 申请公布号 | CN102933491B | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201180027996.X | 申请日期 | 2011.06.06 |
| 申请人 | 电子材料技术研究所 | 发明人 | 沃齐米日·施特鲁平斯基 |
| 分类号 | C01B31/04(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B29/02(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;董文国 |
| 主权项 | 一种通过气相外延在含SiC表面的衬底上生产石墨烯的方法，该方法包括：石墨烯核生长过程，其中通过所述衬底的受控硅升华促进石墨烯核在所述衬底上的生长；以及石墨烯的沉积过程，其中在所述石墨烯核上沉积外延石墨烯层；其中通过惰性气体(10)或除惰性气体以外的气体(12)流经外延反应器来控制硅从所述衬底(3)升华的过程，其中所述除惰性气体以外的气体(12)为使得升华速度高于气体与在晶片表面上出现的碳层的反应速度的气体，其中最初所述惰性气体(10)的流量为6升/分钟至70升/分钟，随后所述惰性气体(10)的流量降低至低于6升/分钟的值。 | ||
| 地址 | 波兰华沙 | ||