| 发明名称 | 铜露出基板的清洗方法和清洗系统 | ||
| 摘要 | 在该铜露出基板的清洗方法中，设置有紫外线氧化装置的子系统的水出口和各基板处理装置的水入口经由主配管连接。过氧化氢除去装置(2)配置在子系统的紫外线氧化装置与非再生型离子交换装置之间。另外，二氧化碳供给装置(4)配置在从子系统的水出口分支至到达基板处理装置(1)的配管(3)的途中。过氧化氢除去装置(2)填充有铂族系金属催化剂。作为该构成的结果，通过紫外线氧化装置的超纯水用作基质以制造溶解在其中的过氧化氢的浓度限于2μg/L以下并且将二氧化碳添加至其中以将电阻率调节为在0.03-5.0MΩ·cm的范围内的碳酸水，并且碳酸水用于清洗设置在基板处理装置(1)内并且至少铜或铜化合物在表面上露出的基板。 | ||
| 申请公布号 | CN105340067A | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201480036472.0 | 申请日期 | 2014.04.17 |
| 申请人 | 奥加诺株式会社 | 发明人 | 矢野大作;村山雅美;山下幸福;山中弘次 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;B01J31/08(2006.01)I;C02F1/20(2006.01)I;C02F1/32(2006.01)I;C02F1/68(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种铜露出基板的清洗方法，其包括：用溶解在水中的过氧化氢的浓度限于2μg/L以下并且添加二氧化碳以将电阻率调节在0.03至5.0MΩ·cm的范围内的碳酸水清洗至少铜或铜化合物在表面上露出的基板。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||