| 发明名称 | 金属栅极功函数层的制备方法、半导体器件及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种金属栅极功函数层的制备方法、半导体器件及制备方法。所述金属栅极功函数层的制备方法包括沉积功函数层；在含N气氛下对所述功函数层进行退火，以在所述功函数层的表面形成氮化物层。本发明为了解决目前功函数层容易被氧化的问题，提供了一种新的制备方法，在所述方法中在沉积功函数层之后在含N气氛下进行退火来代替常规的Ar气氛下进行的退火，通过所述方法可以使功函数层的表面氮化，从而形成一层氮化物层，防止所述功函数层在退火以及工艺等待过程中被氧化，避免了功函数层功函的漂移，同时还可以使制备得到的功函数层更加致密，以提高器件的性能和良率。 | ||
| 申请公布号 | CN105336598A | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201410279864.1 | 申请日期 | 2014.06.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 徐建华 |
| 分类号 | H01L21/283(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/283(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种金属栅极功函数层的制备方法，包括：沉积功函数层；在含N气氛下对所述功函数层进行退火，以在所述功函数层的表面形成氮化物层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||