MRAM器件形成工艺中的对准方法

摘要

本发明提供了一种MRAM器件形成工艺中的对准方法，包括：提供半导体衬底，该半导体衬底包括并列的器件区域和对准区域，该器件区域包含至少一金属互连层，该金属互连层延伸至所述对准区域；对所述对准区域的半导体衬底进行刻蚀，形成具有凹凸形貌的对准图形；形成磁隧道结层，该磁隧道结层覆盖所述半导体衬底的器件区域和对准区域，所述对准区域的磁隧道结层具有与所述对准图形相适应的凹凸形貌；在所述磁隧道结层上形成掩膜层；利用所述对准区域的对准图形进行光刻对准，以对所述硬掩膜层进行图形化。本发明能够解决互连结构损伤造成的对准问题，有利于提高对准精度。

主权项

一种MRAM器件形成工艺中的对准方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，该半导体衬底包括并列的器件区域和对准区域，该器件区域包含至少一金属互连层，该金属互连层延伸至所述对准区域；对所述对准区域的半导体衬底进行刻蚀，形成具有凹凸形貌的对准图形；形成磁隧道结层，该磁隧道结层覆盖所述半导体衬底的器件区域和对准区域，所述对准区域的磁隧道结层具有与所述对准图形相适应的凹凸形貌；在所述磁隧道结层上形成掩膜层；利用所述对准区域的对准图形进行光刻对准，以对所述硬掩膜层进行图形化。