| 发明名称 |
一种纳米级微结构的制备方法 |
| 摘要 |
本发明涉及一种纳米级微结构的制备方法，其包括：提供一碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括多个有序排列的碳纳米管；将所述碳纳米管结构悬空设置，并在所述碳纳米管结构的表面设置一预制层，使每个碳纳米管表面的预制层的厚度为3纳米~50纳米，而得到一碳纳米管复合结构；将所述碳纳米管复合结构设置于一基板的表面形成一掩模层，该掩模层具有多个微孔，暴露出所述基板的部分表面；以及，干法刻蚀所述基板，在所述基板的表面形成微结构。 |
| 申请公布号 |
CN105336566A |
申请公布日期 |
2016.02.17 |
| 申请号 |
CN201410295285.6 |
申请日期 |
2014.06.27 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
金元浩;李群庆;范守善 |
| 分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y10/00(2011.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种纳米级微结构的制备方法，其包括：提供一碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括多个有序排列的碳纳米管；在所述碳纳米管结构的表面设置一预制层，使每个碳纳米管表面的预制层的厚度为3纳米~50纳米，而得到一碳纳米管复合结构；将所述碳纳米管复合结构设置于一基板的表面形成一掩模层，该掩模层具有多个微孔，暴露出所述基板的部分表面；以及干法刻蚀所述基板，在所述基板的表面形成微结构。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
