一种降低颗粒产生的方法

摘要

本发明及半导体制造领域，尤其涉及一种降低颗粒产生的方法。通过在低k薄膜淀积之前，每卡硅片开始时的清洗程式通过判断腔体淀积硅片前是否进行周期性清洗程式。如果没有,则执行经过优化的每卡硅片开始时的清洗程式。每卡硅片开始时的清洗程式优化的实施，增强薄膜对工艺腔室内的黏附性，极大地降低了工艺过程中颗粒从喷头上掉下的可能性，从而降低了此工艺的颗粒问题，提高了产品的良率。

主权项

一种降低颗粒产生的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，于机台腔室内的硅片上沉积低k介质层；步骤S2，判断后续硅片是否同样进行低k介质层沉积，如不是，则对所述机台腔室进行清洗，如是则进行步骤S3；步骤S3，判断所述机台腔室是否进行周期清洁工艺，如是，则进行清洁工艺并对所述后续硅片进行低k介质层的沉积，如不是，则进行步骤S4；步骤S4：对所述机台腔室进行多层清洁工艺。