用以编程存储器单元的装置和方法

摘要

本文揭示的标的物涉及存储器装置，且更特定来说涉及编程存储器单元。

主权项

一种用于对具有至少两个稳定状态的存储器单元进行编程的方法，所述至少两个稳定状态中的第一稳定状态是较低电阻状态，所述至少两个稳定状态中的第二稳定状态是较高电阻状态，该较高电阻状态具有的电阻高于所述较低电阻状态，所述方法包括：将电压编程信号施加到所述存储器单元以将所述存储器单元从所述较高电阻状态转变为所述较低电阻状态；以及将电流编程信号施加到所述存储器单元以将所述存储器单元从所述较低电阻状态转变为所述较高电阻状态，其中，所述电流编程信号包括所述存储器单元进入熔化阶段后的递减电流斜坡。