| 发明名称 | 晶片封装体及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一第一基底；一第二基底，设置于该第一基底之上，其中该第二基底包括一下半导体层、一上半导体层、及该下半导体层与该上半导体层之间的一绝缘层，且该下半导体层的一部分电性接触该第一基底上的至少一接垫；一导电层，设置于该第二基底的该上半导体层之上，且电性连接该下半导体层的与该至少一接垫电性接触的该部分；一开口，自该上半导体层朝该下半导体层延伸并延伸进入该下半导体层；以及一保护层，设置于该上半导体层及该导电层之上，其中该保护层延伸至该开口的部分侧壁上，且不覆盖该开口中的该下半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN103426856B | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201310184941.0 | 申请日期 | 2013.05.17 |
| 申请人 | 精材科技股份有限公司 | 发明人 | 张恕铭;黄郁庭;刘沧宇;何彦仕 |
| 分类号 | H01L23/498(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/498(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 一种晶片封装体，其特征在于，包括：一第一基底；一第二基底，设置于该第一基底之上，其中该第二基底包括一下半导体层、一上半导体层、及该下半导体层与该上半导体层之间的一绝缘层，且该下半导体层的一部分电性接触该第一基底上的至少一接垫；一导电层，设置于该第二基底的该上半导体层之上，且电性连接该下半导体层的与该至少一接垫电性接触的该部分；一开口，自该上半导体层朝该下半导体层延伸并延伸进入该下半导体层；以及一保护层，设置于该上半导体层及该导电层之上，其中该保护层延伸至该开口的部分侧壁上，且不覆盖该开口中的该下半导体层。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县中坜市中坜工业区吉林路23号9F | ||