发明名称 |
功率半导体系统 |
摘要 |
本发明涉及一种功率半导体系统以及一种用于制造功率半导体系统的方法。功率半导体系统带有:用于流动的工作介质的管路系统;带有外侧和内侧的壁元件;以及布置在壁元件的外侧上的功率半导体电路,其中,壁元件的内侧形成管路系统的液密和/或气密的壁。根据本发明的改良的功率半导体系统能实现从功率半导体电路到冷却介质上的有效热传递。 |
申请公布号 |
CN102456642B |
申请公布日期 |
2016.02.17 |
申请号 |
CN201110344682.4 |
申请日期 |
2011.11.04 |
申请人 |
赛米控电子股份有限公司 |
发明人 |
彼得·贝克达尔;哈特姆特·库拉斯;弗兰克·埃伯斯贝格尔 |
分类号 |
H01L23/46(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/46(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
车文;樊卫民 |
主权项 |
一种功率半导体系统(100),所述功率半导体系统带有:用于流动的工作介质的管路系统(10);带外侧(21)和内侧(22)的至少一个壁元件(20);以及布置在所述壁元件(20)的所述外侧(21)上的功率半导体电路(30),其中,所述壁元件(20)的所述内侧(22)形成所述管路系统(10)的液密和/或气密的壁,所述功率半导体系统带有金属成型体(40),其中,所述管路系统(10)的一部分通过多个在所述金属成型体(40)中的第一空腔形成,其中,所述金属成型体(40)具有用于至少一个直接与所述至少一个壁元件(20)相邻布置的且通过所述金属成型体(40)进行冷却的电容器(84)的凹部(80),并且其中,所述电容器(84)是未被加装壳体的电容器并借助间距保持件(82)和浇铸剂布置在所述凹部(80)中。 |
地址 |
德国纽伦堡 |