| 发明名称 | GaN单晶生长方法、GaN基板制备方法、GaN系元件制备方法以及GaN系元件 | ||
| 摘要 | 使用在基板上生长的金属缓冲层来生长GaN系薄膜(厚膜)。(a)在蓝宝石基板120上蒸镀形成Cr、Cu等的金属缓冲层210。(b)对于在蓝宝石基板120上蒸镀金属缓冲层210得到的基板，在氨气气氛中进行氮化处理，形成金属氮化物层212。(c)在氮化处理过的金属缓冲层210、212上，生长GaN缓冲层222。(d)最后生长GaN单晶层220。该GaN单晶层220可以根据需要生长为各种厚度。通过上述工序制备的基板，通过选择性化学蚀刻可制备自支撑基板，还可以作为用于制备GaN系发光二极管、激光二极管的GaN模板基板来使用。 | ||
| 申请公布号 | CN102634849B | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201210044351.3 | 申请日期 | 2006.03.31 |
| 申请人 | 东北技术使者株式会社;古河机械金属株式会社;三菱化学株式会社;同和控股(集团)有限公司;株式会社EpiValley;伟方亮有限公司 | 发明人 | 八百隆文;曺明焕 |
| 分类号 | C30B29/40(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种GaN单晶生长方法，其特征在于，该方法具有：铬层生长过程，在底层基板上生长铬层；氮化过程，将所述铬层的至少表面氮化，生长铬氮化物层；GaN缓冲层生长过程，在所述铬氮化物层上生长GaN缓冲层；GaN层生长过程，在所述GaN缓冲层上生长单晶GaN层；所述铬氮化物层为(111)取向，所述GaN缓冲层生长过程中，在900℃～1100℃的温度范围生长GaN缓冲层。 | ||
| 地址 | 日本宫城县 | ||