薄膜晶体管、其制造方法以及使用了该薄膜晶体管的显示装置

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管、其制造方法以及使用了该薄膜晶体管的显示装置。本发明的薄膜晶体管具备半导体膜、栅电极、源电极、以及漏电极，其中，栅电极、源电极以及漏电极内的至少1个电极具有包括由铜合金构成的第1电极层和由纯铜构成的第2电极层的2层构造，第1电极层的铜合金是针对铜添加了P和其他元素的铜合金，其他元素是从Mn、Mg、Ca、Ni、Zn、Si、Al、Be、Ga、In、Fe、Ti、V、Co、Zr、以及Hf内选择的至少1种元素，第1电极层的厚度是10nm以上50nm以下，第2电极层的厚度是300nm以上600nm以下，其他元素的浓度与第1电极层的厚度之积的范围是50at.%·nm以上400at.%·nm以下。

主权项

一种薄膜晶体管，在基板上具备半导体膜、栅电极、源电极、以及漏电极，其特征在于：所述栅电极、所述源电极以及所述漏电极内的至少1个电极具有包括由铜合金构成的第1电极层、由纯铜构成的第2电极层、以及由铜合金构成的第3电极层的3层构造，所述第1电极层以及所述第3电极层的铜合金是针对铜添加了磷和其他元素的铜合金，所述其他元素是从锰、镁、钙、镍、锌、硅、铝、铍、镓、铟、铁、钛、钒、钴、锆、以及铪内选择的至少1种元素，所述第1电极层以及所述第3电极层的厚度分别是10～100nm，所述第2电极层的厚度是300～600nm，所述其他元素的浓度与所述第1电极层的厚度之积的范围是50～250at.％·nm，所述其他元素的浓度与所述第3电极层的厚度之积的范围是50～250at.％·nm，其中，上述浓度的单位是at.％，上述厚度的单位是nm。