沟槽的形成方法

摘要

一种沟槽的形成方法，包括，提供半导体衬底；在衬底上形成介电层；在所述介电层上掩膜层，所述掩膜层内具有开口图形；采用第一气体处理开口图形的侧壁，使开口图形侧壁倾斜；以所述掩膜层为掩膜，对所述介电层进行刻蚀形成沟槽。本发明还提供一种沟槽的形成方法，包括，对所述介电层进行刻蚀形成沟槽后，采用第二气体处理沟槽侧壁，使沟槽侧壁倾斜。采用本发明的开口的形成的方法，提高集成电路的电学性能、稳定性和成品率。

主权项

一种沟槽的形成方法，其特征在于，包括，提供半导体衬底；在衬底上形成介电层；在所述介电层上形成掩膜层，所述掩膜层内具有开口图形，所述掩膜层为氮化硼层、氮化钛层、氮化钽层中的任一层，或者为氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、碳化硅层中的任一层，或者为底层为碳化硅层或氮化硅层，顶层为氮化钛层或氮化钽层的叠层；采用第一气体处理开口图形的侧壁，使开口图形侧壁倾斜，所述第一气体中的第一主气体为Ar；以所述掩膜层为掩膜，对所述介电层进行刻蚀形成沟槽；形成所述沟槽后，还包括：采用第二气体处理所述沟槽侧壁，使所述沟槽侧壁倾斜，所述第二气体为含F气体。