| 发明名称 | 一种超结MOS器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种超结MOS器件及其制造方法。该制造方法包括如下顺序进行的步骤：在N型硅衬底的N型外延层内部形成深沟槽；在形成有所述深沟槽的N型硅衬底上形成P型外延层，经驱入，在所述N型外延层内部形成P型扩散层；在所述P型外延层内部形成浅沟槽，并使所述浅沟槽深入至所述N型外延层内部；在形成有所述浅沟槽的N型硅衬底表面形成栅氧化层，并在所述浅沟槽内部的栅氧化层上填充多晶硅；在填充有所述多晶硅的N型硅衬底的P型外延层内部形成源区；在形成有所述源区的N型硅衬底表面依次形成介质层和金属层。本发明的制造方法无需对P型外延层进行回刻或研磨，并且还能够省去体区制作步骤，因此简化了制造工艺并降低了制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105336777A | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201410332442.6 | 申请日期 | 2014.07.11 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 马万里 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 刘芳 |
| 主权项 | 一种超结MOS器件的制造方法，其特征在于，包括如下顺序进行的步骤：在N型硅衬底的N型外延层内部形成深沟槽；在形成有所述深沟槽的N型硅衬底上形成P型外延层，经驱入，在所述N型外延层内部形成P型扩散层；在所述P型外延层内部形成浅沟槽，并使所述浅沟槽深入至所述N型外延层内部；在形成有所述浅沟槽的N型硅衬底表面形成栅氧化层，并在所述浅沟槽内部的栅氧化层上填充多晶硅；在填充有所述多晶硅的N型硅衬底的P型外延层内部形成源区；在形成有所述源区的N型硅衬底表面依次形成介质层和金属层。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层 | ||