氮化镓基LED芯片的隔离槽刻蚀方法

摘要

本发明提供一种氮化镓基LED芯片的隔离槽刻蚀方法，其包括以下步骤：S1，向反应腔室内通入刻蚀气体，同时开启激励电源和偏压电源，以在GaN层上刻蚀隔离槽，并在隔离槽达到预设深度时，中断通入刻蚀气体，并关闭激励电源和偏压电源；S2，向反应腔室内通入氧气或含氟基气体，并开启激励电源，以修饰GaN层上的掩膜形貌，并在经过预设时间后，停止通入氧气或含氟基气体，并关闭激励电源；S3，继续向反应腔室内通入刻蚀气体，且同时开启激励电源和偏压电源，以完成对隔离槽的刻蚀。本发明提供的氮化镓基LED芯片的隔离槽刻蚀方法，其可以减小隔离槽的侧壁倾角，从而可以在进行后续的淀积工艺时，给淀积材料提供良好的生长条件。

主权项

一种氮化镓基LED芯片的隔离槽刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，向反应腔室内通入刻蚀气体，且同时开启激励电源和偏压电源，以在GaN层上刻蚀隔离槽，并在所述隔离槽达到预设深度时，中断通入所述刻蚀气体，并关闭所述激励电源和偏压电源；S2，向反应腔室内通入氧气或含氟基气体，并开启所述激励电源，以修饰所述GaN层上的掩膜形貌，并在经过预设时间后，停止通入所述氧气或含氟基气体，并关闭所述激励电源；S3，继续向反应腔室内通入所述刻蚀气体，且同时开启所述激励电源和偏压电源，以完成对所述隔离槽的刻蚀。