发明名称 |
样品制备方法以及二次离子质谱分析方法 |
摘要 |
本发明揭示了一种样品制备方法,包括:提供一半导体芯片,包括若干规则排列的待测结构;对所述半导体芯片的正面进行剥离,并判断所述待测结构的位置分布;对所述半导体芯片的横截面进行腐蚀处理,并判断所述待测结构的深度以及所述待测结构在所述横截面的宽度;根据所述待测结构的位置分布、深度以及宽度,在所述半导体芯片的正面制备至少一开孔,所述开孔位于其中一个所述待测结构的至少两个侧面,所述开孔的深度大于等于所述待测结构的深度;对所述半导体芯片的背面进行研磨,直至露出所述开孔,得到分析样品。本发明还提供一种使用所述分析样品的二次离子质谱分析方法,所述分析样品的表面平整,分析区域大,有利于提高测试分析的准确性。 |
申请公布号 |
CN105334085A |
申请公布日期 |
2016.02.17 |
申请号 |
CN201410395360.6 |
申请日期 |
2014.08.12 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
史江北 |
分类号 |
G01N1/28(2006.01)I;G01N1/32(2006.01)I |
主分类号 |
G01N1/28(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种样品制备方法,包括:提供一形成有若干规则排列的待测结构的半导体芯片,所述半导体芯片包括正面、与所述正面相对的背面以及垂直于所述正面和背面的横截面;对所述半导体芯片的正面进行剥离,剥离至所述待测结构所在膜层的上一层膜层,根据所述待测结构所在膜层的上一层膜层的结构,判断所述待测结构的位置分布;对所述半导体芯片的横截面进行腐蚀处理,根据所述腐蚀处理的结果,判断所述待测结构的深度以及所述待测结构在所述横截面的宽度;根据所述待测结构的位置分布、深度以及宽度,从所述半导体芯片的正面制备至少一开孔,所述开孔位于其中一个所述待测结构的至少两个侧面,所述开孔的深度大于等于所述待测结构的深度;对所述半导体芯片的背面进行研磨,直至露出所述开孔,得到分析样品。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |