半导体器件的形成方法、晶体管的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法、晶体管的形成方法，其中，半导体器件的形成方法包括：提供绝缘体上半导体衬底，绝缘体上半导体衬底包括：基底、基底表面的绝缘层、以及绝缘层表面的半导体层；在半导体衬底表面形成掩膜层并暴露出部分半导体衬底表面；以掩膜层为掩膜，采用第一各向异性的湿法刻蚀工艺刻蚀半导体层，在半导体层内形成第一开口并暴露出绝缘层表面；在形成第一开口后，去除掩膜层；之后采用第二各向异性的湿法刻蚀工艺刻蚀半导体层，在相邻第一开口之间的半导体层内形成第二开口并暴露出绝缘层表面；然后去除部分绝缘层，形成悬空于基底上方的纳米线；再对纳米线进行热退火，使横截面变为圆形。所形成的纳米线尺寸减小。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括：基底、基底表面的绝缘层、以及绝缘层表面的半导体层；在所述半导体衬底表面形成掩膜层，所述掩膜层暴露出部分半导体衬底表面；以所述掩膜层为掩膜，采用第一各向异性的湿法刻蚀工艺刻蚀所述半导体层，在所述半导体层内形成第一开口，所述第一开口暴露出绝缘层表面；在形成第一开口后，去除所述掩膜层；在去除所述掩膜层后，采用第二各向异性的湿法刻蚀工艺刻蚀所述半导体层，在相邻第一开口之间的半导体层内形成第二开口，所述第二开口暴露出绝缘层表面；在形成第二开口后，去除部分所述绝缘层，形成悬空于基底上方的纳米线；在去除绝缘层后，对所述纳米线进行热退火，使所述纳米线的横截面变为圆形。