| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底表面形成初始介质层，所述初始介质层内具有致孔剂；对所述初始介质层进行第一紫外照射处理，所述第一紫外照射处理具有第一处理温度；在所述第一紫外照射处理后，对所述初始介质层进行第二紫外照射处理，形成低k介质层，所述第二紫外照射处理具有第二处理温度，且所述第二处理温度大于第一处理温度。本发明在快速去除致孔剂(即，处理温度较高的第二紫外照射处理过程)之前，对初始介质层进行第一紫外照射处理，使初始介质层进行一定交联反应，使初始介质层的机械强度得到提升，有效避免在第二紫外照射处理过程中发生初始介质层坍塌问题，提高形成的低k介质层的机械性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105336677A | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201410376692.X | 申请日期 | 2014.08.01 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 邓浩 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底表面形成初始介质层，所述初始介质层内具有致孔剂；对所述初始介质层进行第一紫外照射处理，所述第一紫外照射处理具有第一处理温度；在所述第一紫外照射处理后，对所述初始介质层进行第二紫外照射处理，形成低k介质层，所述第二紫外照射处理具有第二处理温度，且所述第二处理温度大于第一处理温度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||