| 发明名称 | 采用低K值介电材料的管芯边缘密封 | ||
| 摘要 | 本发明涉及采用低K值介电材料的管芯边缘密封。一种半导体晶片具有用于阻尼及抑制在划片期间生成的初生裂纹并且抑制湿气渗透到管芯的有源区之内的多级结构。该晶片包括由划片通道分离的管芯区阵列。管芯区包含有源区以及包围着有源区的第一环。第一环的一部分包含低K值介电材料。第二环包含金属与层间介电(ILD)材料的交替层的叠层。在环周围的伪金属区包含层叠的伪金属特征件并且包围着有源区。划线网格过程控制(SGPC)特征件的规则的或不规则的交错布局降低了在划片期间的机械应力。 | ||
| 申请公布号 | CN105336711A | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201410274241.5 | 申请日期 | 2014.06.19 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 王志杰;白志刚;牛继勇;叶德洪;张虎昌 |
| 分类号 | H01L23/29(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/29(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 申发振 |
| 主权项 | 一种半导体晶片，包含由划片通道分离的管芯区阵列，其中至少一个管芯区包含：有源区；以及至少部分地包围所述有源区的第一环，其中所述第一环的至少一部分含有低K值介电材料。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||