| 发明名称 | 具有减小的短路电流的晶体管器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及晶体管器件，其具有在半导体本体（100）中第一导通类型的源极区（11）和漂移区（13）；与第一导通类型互补的第二导通类型的布置在漂移区与源极区之间的本体区（12）；源极电极（21），其接触源极区（11）和本体区（12）；栅极电极（15），其被布置为与本体区（12）相邻并通过栅极介电层（16）以介电的方式相对于本体区（12）绝缘；二极管结构，其连接在漂移区（13）与源极电极（21）之间并且具有：第一发射极区（31），其被布置为与半导体本体（100）中的漂移区（13）邻接；第一导通类型的与第一发射极区邻接的第二发射极区（32），其连接到源极电极（32）上并且具有小于0.7的发射极效率γ。 | ||
| 申请公布号 | CN102376767B | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201110231080.8 | 申请日期 | 2011.08.12 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | F.希尔勒;A.莫德;T.拉克;H-J.舒尔策;W.维尔纳 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 臧永杰;王洪斌 |
| 主权项 | 晶体管器件，所述晶体管器件具有：在半导体本体（100）中第一导通类型的源极区（11）和漂移区（13）；与第一导通类型互补的第二导通类型的布置在漂移区（13）与源极区（11）之间的本体区（12）；源极电极（21），其接触源极区（11）和本体区（12）；栅极电极（15），其被布置为与本体区（12）相邻，并且通过栅极介电层（16）以介电的方式相对于本体区（12）绝缘；二极管结构，该二极管结构连接在漂移区（13）与源极电极（21）之间并且具有：第二导通类型的第一发射极区（31），其被布置为与半导体本体（100）中的漂移区（13）邻接；第一导通类型的与第一发射极区邻接的第二发射极区（32），其连接到源极电极（21）上并且具有小于0.7的发射极效率γ。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||