一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极的制备方法

摘要

本发明涉及一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极制备方法。该制备方法主要包括非晶碳石墨层的制备、金属Pt和Au的制备以及退火处理，此外利用磁控溅射和离子溅射方法在金刚石薄膜上沉积制备C-Pt-Au三层体系，并在氮气气氛下退火，形成欧姆接触电极。本发明采用的非晶碳石墨作为金属与金刚石的中间层，起到增强附着力的作用，以及三层C-Pt-Au欧姆电极具有较高的IV性能、较低的薄膜漏电流，其电阻率得到明显改善、使器件的性能得到提高。

主权项

一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极的制备方法，其特征在于具有以下的制备过程和步骤：a、非晶碳石墨层的制备采用纯碳靶，使用直流磁控溅射方法在单晶金刚石薄膜上溅射非晶碳石墨，系统的本底真空2×10^‑4到5×10^‑4Pa；溅射的工作气体是Ar气体, Ar的流量为10到15标准毫升/分；总气压在0.3‑0.8Pa；溅射功率一般为90‑120W；溅射时间为5‑15分钟；非晶碳石墨层厚度为5‑30nm；b、金属Pt和Au的制备采用Pt靶，通过离子溅射法在非晶碳石墨层上制备金属层Pt；溅射过程中，工作气压为0.75‑0.85Pa，离子流1.8‑2mA，溅射时间为12‑15分钟，Pt层厚度40‑60nm；溅射完成后，再采用Au靶，通过相同的工艺参数在Pt层上面溅射Au，Au层的厚度为120‑160nm；c、退火采用传统的退火工艺，将制作好的电极在氮气氛下退火；退火温度为350‑450℃，时间为10‑20分钟；最终制得金刚石薄膜上的C‑Pt‑Au三层欧姆电极。