发明名称 | 一种确定SRAM电性能目标的仿真方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种确定SRAM电性能目标的仿真方法,包括:定义SRAM的电性能目标值作为所述仿真模拟的初始参数,将所述初始参数输入仿真软件;在至少三种极限情况下进行仿真模拟,以分别获得读取静态噪声容限、动态写容限和动态读出电流的正态分布;从所述正态分布分别获得所述读取静态噪声容限、动态写容限和读出电流的平均值和西格玛值;在所述读取静态噪声容限、动态写容限和读出电流的3个西格玛中选择最小的西格玛值,查良率和西格玛值表格,获得所述SRAM的仿真良率数据;将所述仿真良率数据与良率标准进行比对,判断所述良率数据是否大于或等于良率标准;是,则仿真模拟结束。根据本发明的方法,可正确预测SRAM的良率临界点,定义SRAM晶体管的电性能目标。 | ||
申请公布号 | CN105335535A | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
申请号 | CN201410255400.7 | 申请日期 | 2014.06.10 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 李煜;王媛;王颖倩;王楠 |
分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
主权项 | 一种确定SRAM电性能目标的仿真方法,包括:步骤S101,定义SRAM的电性能目标值作为所述仿真模拟的初始参数,将所述初始参数输入仿真软件;步骤S102,在至少三种极限情况下进行仿真模拟,以分别获得读取静态噪声容限、动态写容限和动态读出电流的正态分布;步骤S103,从所述正态分布分别获得所述读取静态噪声容限、动态写容限和读出电流的平均值和西格玛值;步骤S104,在所述读取静态噪声容限、动态写容限和读出电流的3个西格玛中选择最小的西格玛值,查良率和西格玛值表格,获得所述SRAM的仿真良率数据;步骤S105,将所述仿真良率数据与良率标准进行比对,判断所述良率数据是否大于或等于良率标准;如果是,则进行步骤S106,仿真模拟结束。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |