| 发明名称 | 卤代苝基半导体材料 | ||
| 摘要 | 本发明提供了式(1)化合物，其中X为-Cl、-Br或-I。式(1)化合物适合用作半导体材料，尤其是在电子器件中用作半导体材料。<img file="DDA0000411607670000011.GIF" wi="569" he="657" /> | ||
| 申请公布号 | CN103732720B | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201280022657.7 | 申请日期 | 2012.04.27 |
| 申请人 | 巴斯夫欧洲公司;马克思—普朗克科学促进协会公司 | 发明人 | H·赖歇尔特;T·格斯纳;李晨;K·米伦;G·巴塔格利亚林 |
| 分类号 | C09K11/06(2006.01)I;C07C211/61(2006.01)I | 主分类号 | C09K11/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 刘金辉;林柏楠 |
| 主权项 | 一种下式化合物：<img file="FDA0000682420950000011.GIF" wi="566" he="650" />其中R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>相互独立地为在与式1的N连接的C处支化的C<sub>3‑25</sub>烷基，以及X为‑Cl、‑Br或‑I。 | ||
| 地址 | 德国路德维希港 | ||