一种反应腔室及半导体加工设备

摘要

本发明提供的一种反应腔室及半导体加工设备，本发明提供的反应腔室，包括进气端，进气端设置在反应腔室宽度方向的侧壁上，用以自进气端向反应腔室内输送气体，自进气端的沿反应腔室宽度方向的两侧的边缘位置处分别形成有朝向反应腔室长度方向的侧壁延伸的辅助壁，辅助壁与反应腔室的侧壁、上下表面形成反应空间，并且，进气端所在侧壁的内表面与辅助壁的内表面之间存在预设钝角。本发明提供的反应腔室，可以提高反应腔室内气流场的均匀性，从而可以提高衬底的工艺均匀性，进而可以提高工艺质量。

主权项

一种反应腔室，包括进气端，所述进气端设置在所述反应腔室宽度方向的侧壁上，用以自所述进气端向所述反应腔室内输送气体，其特征在于，自所述进气端的沿所述反应腔室宽度方向的两侧的边缘位置处分别形成有朝向所述反应腔室长度方向的侧壁延伸的辅助壁，所述辅助壁与所述反应腔室的侧壁、上下表面形成反应空间，并且，所述进气端所在侧壁的内表面与所述辅助壁的内表面之间存在预设钝角。