半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，包括第一区域和第二区域；形成覆盖部分第一区域的第一伪栅极和覆盖部分第二区域的器件层，第一伪栅极和器件层的表面齐平；在半导体衬底表面形成介质层，介质层的表面与第一伪栅极、器件层的表面齐平；去除第一伪栅极，形成第一凹槽；在第一凹槽内壁、介质层和器件层上形成填充满第一凹槽的第一金属层；采用化学机械研磨工艺，对第一金属层进行第一平坦化处理，去除位于介质层和器件层表面的第一金属层，在第一凹槽内形成第一栅极，所述第一平坦化处理采用的研磨液内具有保护剂，在平坦化过程中在所述器件层的表面形成保护层。上述方法可以在形成第一栅极的过程中，使器件层的表面不受损伤。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；形成覆盖部分第一区域的第一伪栅极和覆盖部分第二区域的器件层，所述第一伪栅极顶部表面和器件层顶部表面齐平；在半导体衬底表面形成介质层，所述介质层覆盖第一伪栅极和器件层的侧壁，并且所述介质层表面与第一伪栅极顶部表面、器件层顶部表面齐平；去除所述第一伪栅极，形成第一凹槽；在所述第一凹槽内壁、介质层和器件层上形成填充满所述第一凹槽的第一金属层；采用化学机械研磨工艺，对所述第一金属层进行第一平坦化处理，去除位于介质层和器件层上的第一金属层，在所述第一凹槽内形成第一栅极，所述第一平坦化处理采用的研磨液内具有保护剂，所述保护剂在平坦化过程中在所述器件层的表面形成保护层。