| 发明名称 | SRAM存储阵列的控制电路和SRAM存储器 | ||
| 摘要 | 一种SRAM存储阵列的控制电路和SRAM存储器，控制电路包括：第一PMOS管、导通控制单元和至少一个下拉MOS管；所述第一PMOS管的源极适于输入第一电压；所述下拉MOS管的漏极均连接所述第一PMOS管的漏极，所述下拉MOS管的源极均适于输入第二电压，所述第二电压的电压值小于第一电压的电压值；所述导通控制单元适于在所述SRAM存储阵列进入工作状态且执行写操作前，控制全部或部分下拉MOS管在预定时间内处于导通状态。 | ||
| 申请公布号 | CN105336360A | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201410374490.1 | 申请日期 | 2014.07.31 |
| 申请人 | 展讯通信（上海）有限公司 | 发明人 | 黄瑞锋;郑坚斌;于跃;吴守道;彭增发;王林 |
| 分类号 | G11C11/413(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/413(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华;吴敏 |
| 主权项 | 一种SRAM存储阵列的控制电路，其特征在于，包括：第一PMOS管、导通控制单元和至少一个下拉MOS管；所述第一PMOS管的源极适于输入第一电压；所述下拉MOS管的漏极均连接所述第一PMOS管的漏极，所述下拉MOS管的源极均适于输入第二电压，所述第二电压的电压值小于第一电压的电压值；所述导通控制单元适于在所述SRAM存储阵列进入工作状态且执行写操作前，控制全部或部分下拉MOS管在预定时间内处于导通状态。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路2288弄展讯中心1号楼 | ||