SRAM单元和SRAM存储器

摘要

本发明提供一种SRAM单元，本发明SRAM单元包括一个专门用于写入信息的写入单元和一个专门用于读出信息的读出单元，写入单元与所述存储单元的第一存储节点、写字线和写位线电连接，用于向存储单元写入信息，所述读出单元包括：读传输栅晶体管和读下拉晶体管，所述读传输栅晶体管和读字线和读位线电连接，所述读下拉晶体管的栅极与存储单元的第二存储节点电连接，专门的读出单元有效提高了静态噪声容限以及读出稳定性。本发明还提供一种SRAM存储器，包括多个本发明提供的SRAM单元。本发明SRAM单元在具有专门的读出单元，可以通过增强写入单元电荷输送能力的方法提高写入容限，从而获得静态噪声容限和写入容限俱佳的SRAM单元，使SRAM单元的读写更加稳定。

主权项

一种SRAM单元，其特征在于，包括：存储单元，用于存储信息，所述存储单元包括用于加载第一电平的第一存储节点、用于加载第二电平的第二存储节点，所述第一电平与第二电平不同；写入单元，与所述存储单元的第一存储节点、写字线和写位线电连接，用于向存储单元写入信息；读出单元，与所述存储单元电连接，用于读出所述存储单元的存储信息，所述读出单元包括：与读字线和读位线电连接的读传输栅晶体管，与所述读传输栅晶体管相连的读下拉晶体管，所述读下拉晶体管的栅极与所述存储单元的第二存储节点电连接。